（供稿物理与电子科学学院）近日，物理与电子科学学院金湘亮教授研究团队在国际电子器件领域顶级期刊IEEE Electron Device Letters上发表了题为“Total-Ionizing-Dose Tolerant SCR Devices with High Holding Voltage for ESD Protection”的研究论文。

我校2023级博士研究生刘煜杰为第一作者，刘小年老师和金湘亮教授为论文通讯作者。这项研究课题获得了国家自然科学基金62204083和62174052以及澳门自然科学基金2024JJ6322的资助。

这项课题研究了一种具有高维持电压和强辐照耐受性的高压（HV）静电放电（ESD）器件PGSCR。与现有的高压ESD保护器件相比，PGSCR具有优异的面积效率、高总剂量耐受性和强抗闩锁性，这使其成为空间应用中高压ESD保护的理想器件。

编辑：宋晨 周博文

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